上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司刘云珍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111643230.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法是由刘云珍设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，鳍结构的形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有至少两个间隔排列的鳍组；形成隔离膜，填充鳍片及鳍组；形成图形化的掩模层，其开口暴露鳍组间的隔离膜；利用图形化的掩模层，打断至少部分隔离膜的分子键；对隔离膜执行热处理；去除预设深度的隔离膜，以暴露的鳍片为鳍结构。本发明中，通过打断至少部分鳍组间的隔离膜的分子键，从而调整鳍组间的隔离膜在热处理时的膨胀率，使得经过热处理后，鳍组内的鳍片两侧的隔离膜的应力较为均衡，从而改善鳍片的弯曲或倾斜的问题。
本发明授权鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上具有至少两个间隔排列的鳍组，每个所述鳍组内包括至少两个间隔排列的鳍片，所述鳍组间的间隙大于所述鳍组内的鳍片间的间隙； 形成隔离膜，所述隔离膜填充所述鳍组间的间隙以及所述鳍片间的间隙，并覆盖至所述鳍片的顶面； 形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层的开口位于所述鳍组间的间隙上方； 利用所述图形化的掩模层，采用电磁波能量或离子注入工艺打断至少部分所述鳍组间的隔离膜的分子键，所述离子注入工艺的离子包括惰性气体离子或至少部分所述隔离膜自身具有元素的离子； 对所述隔离膜执行热处理； 去除预设深度的所述隔离膜，以暴露的所述鳍片作为鳍结构。
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