上海迈铸半导体科技有限公司李昕欣获国家专利权
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龙图腾网获悉上海迈铸半导体科技有限公司申请的专利硅片内三维双螺杆结构隔离变压器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111638202.5，技术领域涉及：H10W44/00；该发明授权硅片内三维双螺杆结构隔离变压器及其制备方法是由李昕欣;陈昌南;顾杰斌设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片内三维双螺杆结构隔离变压器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅片内三维双螺杆结构隔离变压器及其制备方法，包括衬底，设置在衬底中的相互交叉缠绕的原级金属线圈和次级金属线圈。本发明在整个信号的传输过程中，原级金属线圈与次级金属线圈之间没有发生直接的电连接，达到了隔离原次级并传输功率或信号的目的。
本发明授权硅片内三维双螺杆结构隔离变压器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片内三维双螺杆结构隔离变压器的制备方法，包括：在衬底中加工出相互交叉缠绕的两组线圈通道和对应在所述线圈通道两端的熔融金属填充流道；在高温下自所述熔融金属填充流道注入液态金属并冷却固化； 在衬底中加工出相互交叉缠绕的两组线圈通道和对应在所述线圈通道两端的熔融金属填充流道的步骤包括： 在晶圆表面形成介质层，随后通过光刻和刻蚀工艺将所述介质层图形化； 在所述介质层表面再次光刻以形成由所述介质层和光刻胶层组成的复合掩膜； 采用深刻蚀工艺，在所述晶圆上刻蚀出用于形成金属线圈上表面图形的沟槽，随后去除光刻胶掩膜层； 在已刻蚀出沟槽的基础上再次进行深刻蚀，得到水平沟槽和垂直孔； 在晶圆背面进行光刻刻蚀工艺，对所述晶圆背面的所述介质层进行刻蚀； 进行深刻蚀工艺，将所述垂直孔刻穿形成通孔； 去除剩余的介质层，之后在晶圆上下表面、沟槽和通孔侧壁形成绝缘介质层；以及 将多片晶圆对齐堆叠形成所述衬底； 在高温下自所述熔融金属填充流道注入液态金属至完全填充的步骤中，在冷却过程中，多片晶圆将相互自键合在一起。
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