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当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司汪腾野获国家专利权

中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司汪腾野获国家专利权

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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利读参考电路、读操作电路及存储单元获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114566199B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011362372.0,技术领域涉及:G11C11/4093;该发明授权读参考电路、读操作电路及存储单元是由汪腾野;罗睿明;王韬设计研发完成,并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

读参考电路、读操作电路及存储单元在说明书摘要公布了:本申请提供一种读参考电路、读操作电路及存储单元,所述读参考电路包括:一个或多个并联的参考模块;所述参考模块包括两个串联且写入数据不同的第一参考单元和第二参考单元;所述第一参考单元、所述第二参考单元分别在写操作和读操作时的电流方向相同。本申请技术方案的读参考电路、读操作电路及存储单元能够避免MRAM在读操作时受到干扰。

本发明授权读参考电路、读操作电路及存储单元在权利要求书中公布了:1.一种读参考电路,其特征在于,包括: 一个或多个并联的参考模块; 所述参考模块包括两个串联且写入数据不同的第一参考单元和第二参考单元,其中,所述第一参考单元包括:第一MTJ单元,连接第一参考位线;第一晶体管,所述第一晶体管的第一电极连接所述第一MTJ单元,所述第一晶体管的第二电极连接参考源线和所述第二参考单元; 所述第一参考单元、所述第二参考单元分别在写操作和读操作时的电流方向相同; 第一参考位线,连接所述第一参考单元; 第二参考位线,连接所述第二参考单元; 参考源线,所述第一参考单元和所述第二参考单元共用所述参考源线,其中,所述第一参考位线和所述第二参考位线中的一个输出参考信号,另一个接低电平,所述参考源线浮空。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,其通讯地址为:300385 天津市西青区兴华道19号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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