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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利驱动基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210144176.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权驱动基板及其制作方法、显示面板是由刘方梅;曹蔚然设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本驱动基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种驱动基板及其制作方法、显示面板，驱动基板包括显示区和非显示区，非显示区位于显示区的至少一侧。驱动基板包括衬底、第一薄膜晶体管结构和第二薄膜晶体管结构。第一薄膜晶体管结构设置于衬底上，且对应于非显示区。第一薄膜晶体管结构包括第一遮光层、第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极。第一遮光层复用为第二栅极。第一遮光层与第一栅极电连接。第二薄膜晶体管结构位于所述衬底上，且对应于显示区。第二薄膜晶体管结构包括第二遮光层，第二有源层、第三栅极、第二源极和第二漏极。第二遮光层和第二源极电连接。

本发明授权驱动基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种驱动基板，其特征在于，包括显示区和非显示区，所述非显示区位于所述显示区的至少一侧，所述驱动基板包括： 衬底； 第一薄膜晶体管结构，设置于所述衬底上，且对应于所述非显示区，所述第一薄膜晶体管结构包括第一遮光层、第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一遮光层复用为第二栅极，所述第一遮光层与所述第一栅极电连接； 第二薄膜晶体管结构，位于所述衬底上，且对应于所述显示区，所述第二薄膜晶体管结构包括第二遮光层，第二有源层、第三栅极、第二源极和第二漏极，所述第二遮光层和所述第二源极电连接； 所述驱动基板还包括： 第三薄膜晶体管结构，所述第三薄膜晶体管结构位于所述衬底上，且对应于所述显示区，所述第三薄膜晶体管结构包括第三有源层、第四栅极、第三源极和第三漏极； 所述第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管为开关薄膜晶体管； 所述驱动基板还包括： 缓冲层，位于所述第一遮光层远离所述衬底的一面； 栅极绝缘层，位于所述第一有源层远离所述缓冲层的一面； 层间介质层，位于所述第一栅极远离所述栅极绝缘层的一面，所述层间介质层包括第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔； 其中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔贯穿所述层间介质层，所述第四过孔贯穿所述层间介质层和所述缓冲层，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第二过孔和所述第三过孔与所述第一有源层电连接； 连接电极，所述连接电极包括第一连接电极、第二连接电极和连接部，所述第一连接电极和所述第二连接电极通过所述连接部连接，所述连接部位于所述层间介质层上，所述第一连接电极设置在所述第一过孔内，所述第二连接电极设置在所述第四过孔内； 钝化层，位于所述层间介质层远离所述第一栅极的一面，且覆盖所述第一源极、第一漏极和所述连接电极； 所述连接电极与所述第一源极同层设置； 所述第一有源层在面内的宽度小于所述第一栅极的在面内的宽度，且所述第一遮光层在面内的宽度大于所述第一有源层在面内的宽度； 所述第一有源层包括依次叠层设置的第一子有源层第二子有源层和第三子有源层，其中，第一子有源层和第三子有源层中镓的原子数大于第二子有源层中镓的原子数。

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