IQM芬兰有限公司李天一获国家专利权
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龙图腾网获悉IQM芬兰有限公司申请的专利约瑟夫逊结制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111480648.X，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权约瑟夫逊结制造方法是由李天一;刘伟;曼朱纳·拉马钱德拉帕·文卡泰什;哈斯南·艾哈迈德;曾国维;陈冠言设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本约瑟夫逊结制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了约瑟夫逊结制造方法。本发明涉及约瑟夫逊结的制造。这样的约瑟夫逊结可能适合于在量子比特方面使用。使用毯式沉积形成高质量的可能的单晶电极和介电层；随后通过以下操作来形成多个约瑟夫逊结之一的结构：使用多光子光刻以在抗蚀剂中创建开口，然后对电极和介电层进行蚀刻。
本发明授权约瑟夫逊结制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造约瑟夫逊结的方法，所述方法包括： 在衬底上形成第一堆叠，所述第一堆叠包括第一电极层、介电层和第二电极层，所述第一堆叠限定在所述第一堆叠的与所述衬底相对的表面上的至少上表面以及与所述衬底和所述上表面相邻的两个侧表面； 经由第一抗蚀剂中的第一开口在所述堆叠中形成沟槽，所述沟槽跨所述堆叠的整个宽度而延伸并且跨所述第二电极层和所述介电层的整个深度而延伸；以及 经由所述第一抗蚀剂或第二抗蚀剂中的第二开口和第三开口在所述堆叠中形成隧道，所述第二开口和所述第三开口通过多光子光刻而形成，所述隧道跨所述堆叠的整个宽度从所述第二开口延伸至所述第三开口并且跨所述第一电极层和所述介电层的整个深度而延伸，使得在所述沟槽与所述隧道之间形成约瑟夫逊结。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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