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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种低寄生电感高散热性能的SiC模块及制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210344054.4，技术领域涉及：H10W40/25；该发明授权一种低寄生电感高散热性能的SiC模块及制作工艺是由王来利;吴世杰;赵成;温浚铎;杨俊辉;聂延;甘永梅设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低寄生电感高散热性能的SiC模块及制作工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC模块及制作工艺，其SiC模块包括外壳以及自下而上叠放的金属底板、DBC板、PCB驱动板和碳化硅元件，所述金属底板、DBC板、PCB驱动板和碳化硅元件均设置于外壳内部；所述DBC板包括两个铜层和AlN层，所述AlN层位于两个铜层之间，所述碳化硅元件、铜层和PCB驱动板之间电气连接，所述DBC板上设有多个功率端子。本发明通过调整模块整体的布局可以极大减小模块整体的寄生电感，而通过替换DBC板中的陶瓷材料，增强了模块整体的散热能力。

本发明授权一种低寄生电感高散热性能的SiC模块及制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种低寄生电感高散热性能的SiC模块，其特征在于，包括外壳17以及自下而上叠放的金属底板5、DBC板18、PCB驱动板19和碳化硅元件，所述金属底板5、DBC板18、PCB驱动板19和碳化硅元件均设置于外壳17内部；所述DBC板18包括两个铜层181和AlN层182，所述AlN层182位于两个铜层181之间，所述碳化硅元件、铜层181和PCB驱动板19之间电气连接，所述DBC板18上设有多个功率端子16； 所述碳化硅元件包括多个碳化硅MOSFET2和多个碳化硅二极管3，所述碳化硅MOSFET2和碳化硅二极管3交替间隔设置；碳化硅MOSFET2的源极、碳化硅二极管3阳极与铜层181电气连接； 所述PCB驱动板19上设有外上桥臂栅极7、内上桥臂栅极8、外上桥臂源极9、内上桥臂源极10、外下桥臂栅极11、内下桥臂栅极12、外下桥臂源极13和内下桥臂源极14，所述碳化硅MOSFET2的栅极与内上桥臂栅极8和内下桥臂栅极12连接；所述碳化硅MOSFET2的开尔文源极与内上桥臂源极10和内下桥臂源极14电气连接； 所述PCB驱动板19上还设有多个排针15，所述外上桥臂栅极7、外上桥臂源极9、外下桥臂栅极11、外下桥臂源极13均与排针15连接，所述排针15用于引出驱动极；排针15呈L形。

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