绍兴中芯集成电路制造股份有限公司袁家贵获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利沟槽栅场效应晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114758954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210350829.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽栅场效应晶体管的制备方法是由袁家贵;何云;肖立设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽栅场效应晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟槽栅场效应晶体管的制备方法。通过刻蚀栅极沟槽的顶角以形成平缓的过渡段，降低了刻蚀过程中在沟槽顶角位置的刻蚀速率，从而使得沟槽顶角上的氧化层不会被快速消耗而能够被保留，有效避免了栅电极和阱区之间发生离子扩散的问题。
本发明授权沟槽栅场效应晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在一衬底中形成栅极沟槽，并形成栅极氧化层和栅电极，所述栅极氧化层覆盖所述栅极沟槽的内壁和所述衬底的顶表面，所述栅电极填充在所述栅极沟槽内； 回刻蚀衬底顶表面上的栅极氧化层，直至暴露出所述栅极沟槽的顶角；且当所述栅极沟槽的顶角暴露时，所述衬底顶表面上还仍保留有部分所述栅极氧化层； 以所述衬底顶表面上保留的部分所述栅极氧化层为阻挡，刻蚀所述栅极沟槽的顶角以形成平缓的过渡段； 至少在所述过渡段上形成氧化层；以及， 执行离子注入工艺，以在所述栅极沟槽侧边的衬底中形成阱区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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