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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置及电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080093042.8，技术领域涉及：H10B43/40；该发明授权形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置及电子系统是由K·R·帕雷克;P·泰萨里欧;合田晃设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置及电子系统在说明书摘要公布了：一种微电子装置包括存储器阵列区、控制逻辑区及额外控制逻辑区。所述存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交替的导电结构与绝缘结构；及位于所述堆叠结构内的存储器单元的竖直延伸串。所述控制逻辑区下伏于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的控制逻辑装置。所述额外控制逻辑区上覆于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的所述控制操作的额外部分的额外控制逻辑装置。还描述了形成微电子装置的方法以及额外微电子装置及电子系统。

本发明授权形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置及电子系统在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括： 组合件，其包含： 存储器阵列区，所述存储器阵列区包括： 堆叠结构，其包括竖直交替的导电结构与绝缘结构； 存储器单元串，其分别竖直延伸穿过所述堆叠结构；及 数字线，其上覆于所述堆叠结构并耦合到所述存储器单元串； 控制逻辑区，所述控制逻辑区下伏于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元串的控制操作的一部分的控制逻辑装置；及 额外控制逻辑区，所述额外控制逻辑区上覆于所述数字线，且包括经配置以实现所述存储器单元串的所述控制操作的额外部分的额外控制逻辑装置；以及 微电子装置结构，其附接到所述组合件，且包含： 额外存储器阵列区，其下伏于所述组合件的所述控制逻辑区，所述额外存储器阵列区包括： 额外堆叠结构，其包括竖直交替的额外导电结构与额外绝缘结构； 额外存储器单元串，其分别竖直延伸穿过所述额外堆叠结构；及 额外数字线，其上覆于所述额外堆叠结构并耦合到所述额外存储器单元串；以及 另外控制逻辑区，其下伏于所述额外存储器阵列区，且包括经配置以实现所述额外存储器阵列区的所述额外存储器单元串的控制操作的一部分的另外控制逻辑装置。

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