发明与合作实验室有限公司卢超群获国家专利权
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龙图腾网获悉发明与合作实验室有限公司申请的专利晶体管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207078B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210355583.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权晶体管结构及其制备方法是由卢超群设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种晶体管结构，包括半导体基材、通道层、栅极结构以及第一导电区。半导体基材包括一个半导体表面。通道层独立于半导体基材之外，并覆盖此半导体表面。栅极结构覆盖通道层。第一导电区耦接通道层。
本发明授权晶体管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管结构，其特征在于，该晶体管结构包括： 一半导体基材，包括一半导体表面以及一鳍片结构； 一浅沟隔离区，围绕该鳍片结构； 一通道层，独立于该半导体基材之外，并覆盖该鳍片结构； 一栅极结构，构覆盖该通道层； 一第一导电区，包括一轻掺杂漏极区lightlydopeddrain，LDD耦接该通道层，并自该半导体基材的一侧壁向外延伸； 其中，该通道层包括一顶部以及一侧边部；该顶部覆盖于该鳍片结构的一顶面上，该侧边部覆盖于该鳍片结构的一第一侧壁和一第二侧壁上，且该顶部和该侧边部不是同时形成的；以及 一局部隔离区，位于半导体基材中，用于将该第一导电区的底部与该半导体基材隔离；该半导体基材的该侧壁位于该局部隔离区和该栅极结构之间，且该轻掺杂漏极区自该侧壁并朝向该浅沟隔离区延伸。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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