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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种基于薄膜铌酸锂的电光偏振调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115236881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210728605.7，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权一种基于薄膜铌酸锂的电光偏振调制器是由孙雪芮;吴忆南;刘时杰;郑远林;陈险峰设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于薄膜铌酸锂的电光偏振调制器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于薄膜铌酸锂的电光偏振调制器，其特征在于，包括依次连接的第一单模光纤、输入光耦合器、电光调制移相区、输出双波导垂直接收耦合器，以及第二单模光纤，待调制光从第一单模光纤进入，经过输入光耦合器被耦合进入电光调制相移区，在电光调制移相区受到调制后，经过输出双波导垂直接收耦合器耦合进入第二单模光纤，并从第二单模光纤离开。本申请基于X切或Y切薄膜铌酸锂，电光调制区电场沿Z轴方向，有效利用铌酸锂材料优异的电光效应，使所述电光偏振调制器具有响应速度快、驱动电压低、功耗低等优势。相比引入长度为数百微米的偏振复用器件，极大提升了结构紧凑性，有利于实现器件小型化。

本发明授权一种基于薄膜铌酸锂的电光偏振调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜铌酸锂的电光偏振调制器，其特征在于，包括依次连接的第一单模光纤、输入光耦合器、电光调制移相区、输出双波导垂直接收耦合器，以及第二单模光纤，待调制光从所述第一单模光纤进入，经过所述输入光耦合器被耦合进入所述电光调制相移区，在所述电光调制移相区受到调制后，经过所述输出双波导垂直接收耦合器耦合进入所述第二单模光纤，并从所述第二单模光纤离开； 所述电光调制移相区包括输入光波导、分束器、调制信号输入区、行波电极以及电光调制波导臂； 所述分束器为多模干涉器，可将输入光分为两束强度相等偏振相同的光； 电调制信号经过所述调制信号输入区进入所述行波电极，在所述电光调制移相区对所述待调制光进行电光调制；两个输入光分量在光波导中传输并在电光调制移相区调制产生任意相位差，经两个电光调制波导臂弯曲后传输为两束正交分量； 所述行波电极包括一个金属信号电极与两个金属接地电极，所述金属信号电极与所述金属接地电极平行设置，所述金属信号电极位于电光调制移相器的两个臂之间，所述金属接地电极设置于所述金属信号电极的两侧； 所述输入光耦合器具有偏振敏感性，是只允许TE偏振或TM偏振耦合进光的波导；所述输入光波导与所述电光调制波导臂为单模波导，只允许TE0模或TM0模传输； 所述电光偏振调制器基于X切Z传或Y切Z传薄膜铌酸锂，在所述电光调制移相区产生的电场沿铌酸锂光轴方向，包括从下到上依次布置的：衬底层、光学隔离层、铌酸锂单晶薄膜基板、铌酸锂光波导层、低折射率上包覆层、以及行波电极，其中，所述输入光耦合器、所述电光调制相移区以及所述输出双波导垂直接收耦合器均位于所述铌酸锂光波导层；所述衬底层的材料为硅或铌酸锂晶体，其厚度为0.1mm至2mm； 所述光学隔离层为二氧化硅薄膜，设置于所述衬底层和所述铌酸锂单晶薄膜基板之间，其厚度为2μm至5μm； 所述铌酸锂单晶薄膜基板，为铌酸锂单晶薄膜的刻蚀余留部分，其厚度为0至0.4μm； 所述铌酸锂光波导层，为铌酸锂单晶薄膜的未被刻蚀部分，结构是刻蚀倾角为60度至75度的脊型波导，其厚度为0.2μm至0.6μm； 所述低折射率上包覆层，为二氧化硅保护层，厚度为0至2μm。

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