武汉大学马彦昭获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利刻槽方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115255654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210862695.9，技术领域涉及：B23K26/364；该发明授权刻槽方法是由马彦昭;赵舞;李登;孙硕;张旭;刘斯盛;杨哲璇;陈宝华设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本刻槽方法在说明书摘要公布了：本申请公开了刻槽方法。该刻槽方法，具体为，在激光束、空气射流作用于待刻槽的工件表面的过程中，对所述工件的该表面实施水射流，所述水射流的出射方向与垂直于所述工件表面方向呈倾斜姿态，并且所述水射流的冲击点与激光束的作用点呈间隔设置。与激光束相距一定偏置距离的水射流以合适的倾角旁轴射向工件表面，在表面形成流动的水膜，其与空气射流撞击形成羽流。激光扫描方向需与水射流方向相反，保证水射流冲击点始终在工件表面上，从而保证水膜的稳定。工件烧蚀产生的熔融和气化的材料可随着羽流去除，相应的，激光烧蚀产生的热量也能被高速的羽流有效带走，从而形成近乎无热损伤的刻槽。
本发明授权刻槽方法在权利要求书中公布了：1.一种刻槽方法，其特征在于，在激光束、空气射流作用于待刻槽的工件表面的过程中，对所述工件的该表面实施水射流，所述水射流的出射方向与垂直于所述工件表面方向呈倾斜姿态，并且所述水射流的冲击点与激光束的作用点呈间隔设置； 所述激光束的扫描方向与水射流出射方向相反； 所述水射流的冲击点与激光束的作用点相距3mm~5mm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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