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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种高可靠性GaN基HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210726944.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高可靠性GaN基HEMT器件及其制备方法是由袁嵩;严兆恒;张世杰;江希;姜涛;何艳静;弓小武设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠性GaN基HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高可靠性GaN基HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN过渡层和势垒层，其中，在势垒层上表面分别设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，在源极和漏极外侧分别形成台面；在栅极、源极、漏极的上表面以及势垒层上表面均覆盖有钝化层；在钝化层靠近漏极一侧的上表面设置有弯折形的栅极场板，栅极场板的一端位于栅极上方，另一端延伸至漏极上方；在栅极场板的上表面以及钝化层上表面覆盖有保护层。本发明利用连接栅漏电极的栅极场板来缓解栅极边缘的电场聚集效应，降低了栅极附近原有的电场峰值，避免HEMT在高电场应力下出现失效退化的现象，提高了器件的击穿效率。

本发明授权一种高可靠性GaN基HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性GaN基HEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次堆叠设置的衬底1、AlN成核层2、GaN过渡层3和势垒层4，其中， 在所述势垒层4的两端上表面分别设置有源极5和漏极6，所述源极5和所述漏极6之间的势垒层4上设置有栅极8，在所述源极5和所述漏极6外侧分别形成向下延伸至所述AlN成核层2上表面或内部的台面7； 在所述栅极8、所述源极5、所述漏极6的上表面以及所述势垒层4剩余区域上表面均覆盖有钝化层9； 在所述钝化层9靠近所述漏极6一侧的上表面设置有弯折形的栅极场板11，所述栅极场板11的下表面延伸至所述钝化层9的内部，上表面与所述钝化层9上表面齐平，沿垂直于衬底1所在平面的方向，所述栅极场板11的正投影为连续的弓字形结构，所述栅极场板11的一端位于所述栅极8上方，另一端延伸至所述漏极6上方； 在所述栅极场板11的上表面以及所述钝化层9其余区域上表面覆盖有保护层12。

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