北京怀柔实验室董少华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223872664U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520456396.4，技术领域涉及：H10D30/63；该实用新型MOSFET器件是由董少华;金锐;桑玲;牛喜平;何亚伟;李新宇;路雅淇;解建芳;李哲洋设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOSFET器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MOSFET器件，该器件包括：漂移层具有第一掺杂类型，漂移层包括背离衬底的第一表面，其中，源区间隔设置在漂移层中，漂移层具有位于相邻的源区之间的漂移层区域，且源区具有与相邻的漂移层接触的第一侧面，多个第一注入区，第一注入区位于漂移层区域中，第一注入区具有第二掺杂类型，其中，多个第一注入区在第一方向上间隔设置，第一方向平行于第一侧面；栅极结构，栅极结构包括栅氧层和栅极，栅氧层位于漂移层区域背离衬底的一侧和栅氧层位于部分源区背离衬底的一侧，栅氧层与第一注入区接触，栅极位于栅氧层背离衬底的一侧。以解决相关技术中MOSFET器件长期可靠性较低和导通电阻增加的问题。
本实用新型MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，所述漂移层具有第一掺杂类型，所述漂移层包括背离所述衬底的第一表面，其中，所述源区间隔设置在所述漂移层中，所述源区背离所述衬底一侧的表面位于所述第一表面中，所述漂移层具有位于相邻的所述源区之间的漂移层区域，且所述源区具有与相邻的所述漂移层接触的第一侧面，所述MOSFET器件还包括： 多个第一注入区，所述第一注入区位于所述漂移层区域中，所述第一注入区具有第二掺杂类型，其中，多个所述第一注入区在第一方向上间隔设置，所述第一方向平行于所述第一侧面； 栅极结构，所述栅极结构包括栅氧层和栅极，所述栅氧层位于所述漂移层区域背离所述衬底的一侧和所述栅氧层位于部分所述源区背离所述衬底的一侧，所述栅氧层与所述第一注入区接触，所述栅极位于所述栅氧层背离所述衬底的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励