江苏芯长征微电子集团股份有限公司;芯长征微电子制造(山东)有限公司刘辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯长征微电子集团股份有限公司;芯长征微电子制造(山东)有限公司申请的专利一种具有屏蔽保护结构的功率器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223872666U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423322149.X，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种具有屏蔽保护结构的功率器件是由刘辉;朱阳军;邓小社;吴凯;张广银;杨飞设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有屏蔽保护结构的功率器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种具有屏蔽保护结构的功率器件，该件包括半导体结构层、元胞结构区、屏蔽保护结构及源金属。元胞结构区及屏蔽保护结构均位于半导体结构层中。元胞结构区包括多个沟槽栅。每一沟槽栅均包括沟槽及填充于沟槽内的栅极。屏蔽保护结构与半导体结构层的导电类型不同。屏蔽保护结构包括至少一屏蔽保护组。每一屏蔽保护组包括屏蔽保护区及至少一屏蔽接地区。屏蔽保护区经过多个沟槽栅的下方延伸。且屏蔽保护区的延伸方向与沟槽栅的延伸方向相交。屏蔽接地区与屏蔽保护区电性连接。源金属位于半导体结构层上，且与屏蔽接地区电性连接。该功率器件通过屏蔽接地组减弱多个沟槽栅的底部的电场集中程度，提高功率器件的可靠性，整体结构简单。
本实用新型一种具有屏蔽保护结构的功率器件在权利要求书中公布了：1.一种具有屏蔽保护结构的功率器件，其特征在于，包括： 半导体结构层，所述半导体结构层呈第一导电类型； 元胞结构区，位于所述半导体结构层中，所述元胞结构区包括多个沟槽栅，每一沟槽栅均包括沟槽及填充于所述沟槽内的栅极； 屏蔽保护结构，位于所述半导体结构层中，所述屏蔽保护结构呈第二导电类型；所述屏蔽保护结构包括至少一屏蔽保护组，所述屏蔽保护组包括屏蔽保护区及至少一屏蔽接地区，所述屏蔽保护区经过多个所述沟槽栅的下方延伸，且所述屏蔽保护区的延伸方向与所述沟槽栅的延伸方向相交，所述屏蔽接地区与所述屏蔽保护区电性连接； 源金属，位于所述半导体结构层上，所述源金属与所述屏蔽接地区电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏芯长征微电子集团股份有限公司;芯长征微电子制造(山东)有限公司，其通讯地址为：210000 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室(江宁开发区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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