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龙图腾网获悉新硅能微电子(苏州)有限公司申请的专利横向型MOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223872667U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520259701.0，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型横向型MOS器件是由孙磊;陈译;陆佳顺;杨洁雯设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本横向型MOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种横向型MOS器件，包括：位于硅片内且叠置的N型漏极区、轻掺杂N型漂移区，轻掺杂N型漂移区位于P型左阱区、P型右阱区之间区域的正上方设置有一栅电极，此栅电极左端延伸到第一源极区与轻掺杂N型漂移区之间的上方，此栅电极右端延伸到第二源极区与轻掺杂N型漂移区之间的上方，所述栅电极与轻掺杂N型漂移区之间具有一栅氧化层；轻掺杂N型漂移区在P型左阱区、P型右阱区之间中心处竖直地设置有一中掺杂N型竖条部，此中掺杂N型竖条部在水平方向上分别与P型左阱区、P型右阱区之间的距离相等。本实用新型横向型MOS器件避免了降低击穿电压同时，降低了反向恢复电流，从而降低器件整体的损耗。

本实用新型横向型MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种横向型MOS器件，其特征在于：包括：位于硅片1内且叠置的N型漏极区2、轻掺杂N型漂移区3，位于轻掺杂N型漂移区3上部的左部和右部分别具有P型左阱区41、P型右阱区42，所述P型左阱区41、P型右阱区42各自的上部分别具有第一源极区51、第二源极区52； 所述轻掺杂N型漂移区3位于P型左阱区41、P型右阱区42之间区域的正上方设置有一栅电极6，此栅电极6左端延伸到第一源极区51与轻掺杂N型漂移区3之间的上方，此栅电极6右端延伸到第二源极区52与轻掺杂N型漂移区3之间的上方，所述栅电极6与轻掺杂N型漂移区3之间具有一栅氧化层7； 所述轻掺杂N型漂移区3在P型左阱区41、P型右阱区42之间中心处竖直地设置有一中掺杂N型竖条部8，此中掺杂N型竖条部8在水平方向上分别与P型左阱区41、P型右阱区42之间的距离相等；一第一上金属层91位于第一源极区51、第二源极区52上表面，一第二上金属层92位于栅电极6上表面，一下金属层10位于N型漏极区2下表面。

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