泰科天润半导体科技(北京)有限公司周海获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223872669U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423285927.2，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS是由周海;施广彦;胡臻;何佳设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS，漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，漂移层内设有凹槽；掩蔽区设于凹槽内，掩蔽区下侧面以及外侧面均连接至漂移层；P型阱区下侧面连接至漂移层上侧面；P型阱区上设有N型源区；绝缘介质层下部设于凹槽内，且绝缘介质层连接至掩蔽区上侧面以及内侧面，绝缘介质层外侧面分别连接P型阱区内侧面以及N型源区内侧面，绝缘介质层内设有悬浮栅，绝缘介质层上设有沟槽，悬浮栅位于掩蔽区上方；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接P型阱区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面，实现了低开关损耗、高开关速度、低导通电阻的特性。
本实用新型一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层内设有凹槽； 掩蔽区，所述掩蔽区设于所述凹槽内，所述掩蔽区下侧面以及外侧面均连接至所述漂移层； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面；所述P型阱区上设有N型源区； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内，且所述绝缘介质层连接至所述掩蔽区上侧面以及内侧面，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述P型阱区内侧面以及N型源区内侧面，所述绝缘介质层内设有悬浮栅，所述绝缘介质层上设有沟槽，所述悬浮栅位于所述掩蔽区上方； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型阱区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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