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龙图腾网获悉英利能源发展有限公司申请的专利具有边缘钝化结构的N型TOPCON电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223872683U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520471683.2，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型具有边缘钝化结构的N型TOPCON电池是由马红娜;王子谦;潘明翠;赵学玲;郎芳;翟金叶;王红芳;孟庆超;于波;史金超;于航;徐泽林;薛敬伟设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有边缘钝化结构的N型TOPCON电池在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种具有边缘钝化结构的N型TOPCON电池，属于太阳能电池技术领域，包括：N型硅片，正面硼掺杂发射极延伸至N型硅片的四周侧面上，正面硼掺杂发射极延伸在N型硅片侧面上的部分定义为边缘发射极；背面隧穿SiOx层延伸至N型硅片四周侧面上，背面隧穿SiOx层延伸至N型硅片四周侧面上的部分定义为边缘隧穿SiOx层；边缘隧穿SiOx层与边缘发射极之间具有绝缘钝化区；掺杂多晶硅层延伸至N型硅片四周侧面上，并覆盖边缘隧穿SiOx层；正面AlOx层与正面SiNx层延伸至N型硅片四周侧面上，并在绝缘钝化区形成复合绝缘钝化层。通过边缘钝化及发射极的延伸，提升了电池的短路电流和开路电压，从而有效提升电池的转换效率。

本实用新型具有边缘钝化结构的N型TOPCON电池在权利要求书中公布了：1.一种具有边缘钝化结构的N型TOPCON电池，其特征在于，包括：作为衬底的N型硅片1，所述N型硅片1的正面依次设置有正面硼掺杂发射极2、正面AlOx层3和正面SiNx层4，所述正面硼掺杂发射极2延伸至所述N型硅片1的四周侧面上，所述正面硼掺杂发射极2延伸在所述N型硅片1侧面上的部分定义为边缘发射极； 所述N型硅片1的背面依次设置有背面隧穿SiOx层5、掺杂多晶硅层6和背面SiNx层7；所述背面隧穿SiOx层5延伸至所述N型硅片1四周侧面上，所述背面隧穿SiOx层5延伸至所述N型硅片1四周侧面上的部分定义为边缘隧穿SiOx层；所述边缘隧穿SiOx层与所述边缘发射极之间具有绝缘钝化区；所述掺杂多晶硅层6延伸至所述N型硅片1四周侧面上，并覆盖所述边缘隧穿SiOx层； 所述正面AlOx层3与所述正面SiNx层4延伸至所述N型硅片1四周侧面上，完全覆盖所述边缘隧穿SiOx层，并在所述绝缘钝化区形成复合绝缘钝化层。

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