晶元光电股份有限公司邱柏顺获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利发光元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111477647B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910068664.4，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权发光元件及其制造方法是由邱柏顺;蒋宗勋;纪喨胜;蒋晶;陈洁;叶宗勋;王心盈;叶慧君;沈建赋设计研发完成，并于2019-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光元件及其制造方法，该发光元件包含：基板，包含上表面；第一发光单元以及第二发光单元，分别位于上表面上，其中第一发光单元及第二发光单元分别包含下部半导体层以及上部半导体层；以及导电结构，电连接第一发光单元及第二发光单元；其中，第一发光单元的下部半导体层包含：第一上表面未被上部半导体层所覆盖，以及第一侧壁；其中第一侧壁包含第一子侧壁以及第二子侧壁，第一子侧壁与第一上表面的内夹角为钝角，且第二子侧壁与上表面的内夹角为钝角。
本发明授权发光元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，其特征在于，包含： 基板，包含上表面； 第一发光单元以及第二发光单元，分别位于该上表面上，其中该第一发光单元及该第二发光单元分别包含下部半导体层以及上部半导体层；以及 导电结构，位于该第一发光单元及该第二发光单元上，电连接该第一发光单元及该第二发光单元； 其中，该第一发光单元及该第二发光单元的该些下部半导体层分别包含： 第一上表面，未被该些上部半导体层所覆盖； 第一侧壁；以及 第二侧壁,位于该导电结构下方,其中该第二侧壁与该上表面的内夹角为锐角； 其中该第一发光单元以及该第二发光单元之间具有一最短间距，该最短间距位于该些第二侧壁之间。
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