半导体元件工业有限责任公司G·M·格里弗纳获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利电子器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010757132.4，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权电子器件及其形成方法是由G·M·格里弗纳设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及电子器件及其形成方法。公开了一种方法和电子器件。可使用该方法以允许对包括管芯的工件的薄层进行处理。该工件可包括基部基底和覆盖在该基部基底上的多个层。该方法可包括：在该多个层上形成聚合物支撑层；将该工件的部件区内的该基部基底减薄或移除，其中该部件区包括电子器件；以及在将该基部基底减薄或移除之后将该工件切割为多个管芯。在另一方面，可使用这种方法形成该电子器件。在一个实施方案中，该工件可具有与半导体晶片相对应的大小以允许晶片级处理，而不是管芯级处理。
本发明授权电子器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成电子器件的方法，所述方法包括： 提供工件，所述工件具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面，其中所述工件包括： 基部基底，包括第14族单晶晶片；和 多个层，所述多个层覆盖在所述基部基底上，其中所述多个层与接近所述第二主表面相比更接近所述第一主表面，并且所述多个层是高电子迁移率晶体管的一部分； 沿着所述工件的所述第一主表面形成第一聚合物支撑层； 移除所述基部基底在所述工件的部件区内的至少一部分，以暴露所述多个层内的层，其中在移除了所述基部基底的至少一部分之后，所述工件和所述第一聚合物支撑层在所述部件区内的组合厚度是至少30微米；并且 在移除了所述基部基底的至少一部分之后，将所述工件切割为多个管芯， 其中所述第一聚合物支撑层的一部分保留在最终电子器件中。
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