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英飞凌科技股份有限公司R·奥特伦巴获国家专利权

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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利多芯片封装获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112447612B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010918297.5,技术领域涉及:H10W76/60;该发明授权多芯片封装是由R·奥特伦巴;李德森;王莉双;M·H·祖尔基夫利设计研发完成,并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

多芯片封装在说明书摘要公布了:封装包括:具有封装顶侧、封装占用区域侧和封装侧壁的封装主体;彼此并联电连接的多个功率半导体芯片,每个功率半导体芯片具有第一负载端子和第二负载端子并被配置为阻断施加在负载端子之间的阻断电压并在负载端子之间传导芯片负载电流;引线框架结构,用于将封装电和机械耦合到载体,封装占用区域侧面向载体,引线框架结构包括多个第一外部端子。每个第一外部端子延伸出封装主体以与载体建立接口连接。至少通过一个封装主体内部连接构件将多个功率半导体芯片的每个第一负载端子电连接到多个第一外部端子中的至少两个。封装还包括在封装顶侧或在封装占用区域侧的水平延伸的传导层,其中传导层与多个功率半导体芯片的每个第二负载端子电连接。

本发明授权多芯片封装在权利要求书中公布了:1.一种封装200,包括: -具有封装顶侧201、封装占用区域侧202和封装侧壁203的封装主体20,所述封装侧壁203从所述封装占用区域侧202延伸到所述封装顶侧201; -彼此并联电连接的多个功率半导体芯片100,每个功率半导体芯片100具有第一负载端子101和第二负载端子102,并被配置为阻断施加在所述第一负载端子101和所述第二负载端子102之间的阻断电压并在所述第一负载端子101和所述第二负载端子102之间传导芯片负载电流; -引线框架结构21,其用于将所述封装200电和机械地耦合到载体300,所述封装占用区域侧202面向所述载体300,所述引线框架结构21包括多个第一外部端子2111,其中,每个第一外部端子2111延伸出所述封装主体20以与所述载体300建立接口连接,借助于至少一个封装主体内部连接构件270将所述多个功率半导体芯片100的每个第一负载端子101电连接到所述多个第一外部端子2111中的至少两个第一外部端子2111; -在所述封装顶侧201或在所述封装占用区域侧202处的水平延伸的传导层22,其中,所述传导层22与所述多个功率半导体芯片100中的每个所述第二负载端子102电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技股份有限公司,其通讯地址为:德国瑙伊比贝尔格市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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