铠侠股份有限公司中嶋由美获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010093388.X，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权半导体存储装置是由中嶋由美设计研发完成，并于2020-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够缩小尺寸并提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：通孔35A，设置在衬底的上方；导电层35B，设置在通孔35A上；以及通孔35C，设置在导电层35B上。通孔35A、导电层35B、及通孔35C为连续的1个层。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 积层体，沿第1方向积层有多个导电层； 柱，包含半导体层，且在所述积层体内沿所述第1方向延伸； 电荷储存层，设置在所述多个导电层与所述半导体层之间； 第1接触插塞，沿所述第1方向延伸，设置在所述积层体的上方，与所述半导体层电连接； 第1导电层，与所述第1接触插塞的上方相接设置，沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸；以及 第2接触插塞，与所述第1导电层的上方相接设置，沿所述第1方向延伸；且 所述第1接触插塞、所述第1导电层、及所述第2接触插塞为连续的1个层； 所述第1方向与衬底的上表面交叉； 所述半导体存储装置还具备： 多个第2导电层，沿所述第1方向积层于所述衬底与所述第1接触插塞之间；以及 柱，在所述第1方向上贯穿所述多个第2导电层，且电连接于所述第1接触插塞； 所述多个第2导电层与所述柱交叉的部分作为存储单元晶体管发挥功能； 所述第1导电层是供来自所述存储单元晶体管的电流流通的位线，所述多个第2导电层是与所述存储单元晶体管的栅极连接的字线。
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