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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110128305.0，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体封装件及其制造方法是由李晟观设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：衬底；第一缓冲器芯片和第二缓冲器芯片，其位于衬底的上部上；多个非易失性存储器芯片，其位于衬底的上部上，并且包括第一非易失性存储器芯片和第二非易失性存储器芯片，第一非易失性存储器芯片电连接至第一缓冲器芯片，第二非易失性存储器芯片电连接至第二缓冲器芯片；多个外部连接端子，其连接至衬底的下部；以及再布线图案，其位于衬底内部。再布线图案被配置为将通过多个外部连接端子中的一个外部连接端子接收的外部电信号分叉为第一信号和第二信号，将第一信号发送至第一缓冲器芯片，并且将第二信号发送至第二缓冲器芯片。

本发明授权半导体封装件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 衬底； 位于所述衬底的上部上的第一缓冲器芯片和第二缓冲器芯片； 位于所述衬底上的第一缓冲器焊盘和第二缓冲器焊盘，所述第一缓冲器焊盘和所述第二缓冲器焊盘彼此间隔开且所述第一缓冲器芯片和所述第二缓冲器芯片两者介于所述第一缓冲器焊盘与所述第二缓冲器焊盘之间，所述第一缓冲器焊盘电连接至所述第一缓冲器芯片，所述第二缓冲器焊盘电连接至所述第二缓冲器芯片； 位于所述衬底的上部上的多个非易失性存储器芯片，所述多个非易失性存储器芯片包括第一非易失性存储器芯片和第二非易失性存储器芯片，所述第一非易失性存储器芯片电连接至所述第一缓冲器芯片，所述第二非易失性存储器芯片电连接至所述第二缓冲器芯片； 连接至所述衬底的下部的多个外部连接端子；以及 位于所述衬底内的再布线图案，所述再布线图案被构造为：将通过所述多个外部连接端子中的一个外部连接端子接收的外部电信号分叉为第一信号和第二信号，将所述第一信号发送至所述第一缓冲器焊盘，并且将所述第二信号发送至所述第二缓冲器焊盘， 其中，所述外部电信号在所述再布线图案中的分叉点处被分叉为所述第一信号和所述第二信号，并且所述再布线图案的从所述分叉点至所述第一缓冲器焊盘与所述再布线图案接触的点的第一长度与所述再布线图案的从所述分叉点至所述第二缓冲器焊盘与所述再布线图案接触的点的第二长度相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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