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龙图腾网获悉上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种半导体衬底及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188212B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111467522.9，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权一种半导体衬底及其形成方法是由魏星;戴荣旺;汪子文;徐洪涛;陈猛;李名浩设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体衬底及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体衬底及其形成方法，形成方法通过形成第一多晶硅薄层和第二多晶硅薄层以分次形成总的多晶硅薄层，使得其具有更低的应力，及更随机的晶粒取向和更细小的晶粒尺寸，保持高的晶界密度，提高层间的电荷捕获能力；并且通过不同沉积温度下生长的多晶硅薄层的相互作用，以及在每次恒温退火处理后均经过两种降温速率的结合，使得第一多晶硅薄层及第二多晶硅薄层与初始半导体衬底之间的收缩速率减缓，降低了半导体衬底热膨胀失配的程度，减小了多晶硅薄层与初始半导体衬底之间的拉伸程度，使得半导体衬底的翘曲度进一步的降低，从而进一步降低了多晶硅薄层在生长过程中产生的应力。

本发明授权一种半导体衬底及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体衬底的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：提供一初始半导体衬底，所述初始半导体衬底上形成有第一表面氧化层； S2：在第一目标温度下，在所述第一表面氧化层上形成第一多晶硅薄层； S3：从所述第一目标温度升温至第二目标温度，并在所述第二目标温度下，对所述初始半导体衬底进行恒温退火处理； S4：在CVD反应室中从所述第二目标温度开始进行第一次降温，并在第一次降温至所述第一目标温度时，将所述半导体衬底转移至外界环境，并开始对所述半导体衬底进行第一次自然降温，其中，第一次降温的降温速率较第一次自然降温的降温速率小； S5：氧化处理所述第一多晶硅薄层的表面，以减薄所述第一多晶硅薄层的厚度，并形成第二表面氧化层； S6：在第三目标温度下，在所述第二表面氧化层上形成第二多晶硅薄层，以形成半导体衬底； S7：从所述第三目标温度升温至第四目标温度，并在所述第四目标温度下，对所述半导体衬底进行恒温退火处理；以及 S8：在CVD反应室中从所述第四目标温度开始进行第二次降温，并在第二次降温至所述第三目标温度时，将所述半导体衬底转移至外界环境，并开始对所述半导体衬底进行第二次自然降温，其中，第二次降温的降温速率较第二次自然降温的降温速率小。

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