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龙图腾网获悉成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司申请的专利一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114297005B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111635745.1，技术领域涉及：G06F11/20；该发明授权一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法是由蒋双泉;黎永健设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法，属于半导体存储技术领域，先对替换地址通过两级选择器进行分级拆分处理，然后对主存储区出错处判断第两个选择器的地址是否两次替换，考虑到统一出两次出错后大概率会成为坏区，因此若是相同则跳过，然后执行先判断一一分配的冗余区是否可用，若是不可用则对调用其他的冗余资源对其替换，对冗余区执行若是检测出错误则可将记录信息转存到其他的锁存器中，且具有多次机会，综上可实现兼具小面积和多次列冗余替换，从而在小成本的基础上极大的提升器件良率和芯片性能的一致性。

本发明授权一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法在权利要求书中公布了：1.一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法，其特征在于，具体步骤如下， S1、对存储单元进行分级选择； S2、分级选择后对出错地址进行多次列冗余替换； 所述分级选择具体为： S1-1、将main区和redundancy区的位线分别通过YMUX1和YMUX2进行地址差分后得到main区SA_main个灵敏放大器，以及redundancy区SA_redun个灵敏放大器； S1-2、记录YMUX2_main和SA_main的地址； 所述多次列冗余替换为： S2-1、首先对每个YMUX2_redun多记录2bit信息，即1bit标志redundancy好坏的flag信息和1bit标志Latch是否替换被使用的flag信息； S2-2、main区为出错区，判断出错地址中YMUX2是否与之前的YMUX2重复，如重复不记录，进行下一个地址数据检查； S2-3、如不相同，则判断main区对应对redundancy区的Latch是否可用，若是可用直接替换； S2-4、若是不可用则从redundancy区1-YMUX2中进行遍历选择，若是可用直接替换，若所有redundancy区的Latch替换资源均被使用后，再次从1-YMUX2中进行遍历选择，若仍是出错，标记为坏区。

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