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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300350B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111614210.6，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件是由盛况;邵泽伟;王珩宇;任娜设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：使用清洗气体一对SiC衬底层的晶面缺陷进行清洗；通过PECVD方法在SiC衬底层上生长氧化物固溶体薄膜，且氧化物固溶体薄膜的厚度为20～50nm；在氮气环境下对氧化物固溶体薄膜进行精细分层，得到分相层，其中，精细分层的温度为500～900℃；使用清洗气体二对分相层的悬挂键钝化和悬挂键缺陷进行清洗；采用磁控溅射法在分相层上沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高、静态功耗低、可靠性高的优点，突破了因隧穿电流过大，造成栅极处较大能量损耗的瓶颈。

本发明授权一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件在权利要求书中公布了：1.一种SiC功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 使用清洗气体一在500℃的清洗温度下对SiC衬底层的晶面缺陷进行清洗，其中所述清洗气体一为氢气； 通过PECVD方法在所述SiC衬底层上生长氧化物固溶体薄膜，且所述氧化物固溶体薄膜的厚度为20~50nm，所述氧化物固溶体薄膜为AlSiO薄膜、ZrSiO薄膜或HfSiO薄膜中的任意一种； 在氮气环境下对所述氧化物固溶体薄膜进行精细分层，得到分相层，其中，所述分相层指的是高介电常数材料层与SiO2层周期性交替排列所形成的结构，高介电常数材料层包括Al层、ZrO层、HfO层中的任意一种，分相层中靠近碳化硅衬底层的是SiO层，且SiO层的厚度为1~5nm，精细分层的温度为500~900℃，精细分层的氧气压力为1.5～2.5Pa； 使用清洗气体二对所述分相层的悬挂键和悬挂键缺陷在500℃的清洗温度下进行清洗，其中，所述清洗气体二为一氧化二氮； 采用磁控溅射法在所述分相层上沉积第一电极层，在所述SiC衬底层上沉积第二电极层。

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