南通大学余晨辉获国家专利权
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龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111648809.1，技术领域涉及：H10D8/20；该发明授权一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法是由余晨辉;沈倪明;秦嘉怡;成田恬;王鑫设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法，该微波二极管是由硒化铟InSe与黑磷BP组成的垂直异质结结构。本发明创造性地将制备碰撞离化雪崩渡越时间IMPATT微波二极管的传统材料替换成二维材料BP，并利用BP所独有的弹道雪崩机制，一种无散射的量子相干输运雪崩模式，使得该发明中IMPATT微波二极管在雪崩噪声方面明显低于传统雪崩器件，雪崩阈值电压也比传统器件降低2至3个数量级。除此之外，本发明还利用BP的双极性特征使得在制备IMPATT二极管时不需要对材料进行化学掺杂，降低器件的制备难度。与传统材料制备而成的IMPATT二极管相比，本发明中的IMPATT二极管不仅拥有较低的雪崩噪声与雪崩击穿电压，而且制备简单，从而大大提高了器件的工作性能。
本发明授权一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低噪声与低工作电压的微波二极管，其特征在于：所述低噪声与低工作电压的微波二极管为碰撞电离雪崩渡越时间二极管，具体为InSe层1与BP层5所组成的垂直异质结结构，该异质结结构上层为InSe层1，下层为BP层5，其中把BP层5分为三个区域从左至右依次为BP区a2、BP区b3和BP区c4，BP层5底部设有SiO2层6，InSe层1置于BP区a2正上方；所述InSe层1上方引出TiAu双层金属电极a11；所述BP区c4上方引出TiAu双层金属电极b41；所述BP区c4下方的SiO2层6上引出TiAu双层金属电极c42； 所述InSe层1厚度为10nm；所述BP层5厚度为10nm。
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