TCL华星光电技术有限公司孙昊洲获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利晶体管及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210051065.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权晶体管及其制备方法、显示面板是由孙昊洲;万广苗设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种晶体管及制备方法、显示面板，晶体管中的半导体薄膜层中为氧化铟和氧化钼的混合材料制成，相较于现有技术增加了氧化钼材料，额外增加的氧化钼材料，增加了整个晶体管中的空穴，降低了空穴的移动势垒，进而提高了半导体薄膜层的电气特性。且利用本申请实施例提供的晶体管制备方法制备得到的晶体管中的半导体薄膜层薄膜致密性较高，沟道缺陷少，进一步提高了半导体薄膜层的电气特性。
本发明授权晶体管及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括： 栅极层； 半导体薄膜层，所述半导体薄膜层设置在所述栅极层的上方，且所述半导体薄膜层的制备材料包括氧化铟和氧化钼，所述半导体薄膜层包括氧化铟材料制成的第一子膜层以及氧化钼材料制备得到的第二子膜层，所述第一子膜层和所述第二子膜层沿水平方向交替设置，源漏极层中的源极和漏极对应的半导体薄膜层为氧化钼材料制备的第二子膜层。
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