世界先进积体电路股份有限公司周政伟获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011143708.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置及其形成方法是由周政伟;吴修铭设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置及其形成方法。此方法包括：提供基板，基板上依序形成有缓冲层、通道层、及阻障层；形成掺杂化合物半导体层于部分阻障层上；形成第一刻蚀停止层于掺杂化合物半导体层上；形成第二刻蚀停止层于第一刻蚀停止层上；形成介电层于第二刻蚀停止层上；形成刻蚀保护层于介电层上；执行第一刻蚀工艺，刻蚀穿过刻蚀保护层且部分穿过介电层，以形成凹口于介电层中；执行第二刻蚀工艺，刻蚀凹口下方的介电层以形成开口，在第二刻蚀工艺期间，刻蚀保护层保护下方的介电层免于刻蚀；执行移除工艺，移除介电层上剩余的刻蚀保护层。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括： 提供一基板，该基板上依序形成有一缓冲层、一通道层、及一阻障层； 形成一掺杂化合物半导体层于部分该阻障层上； 形成一第一刻蚀停止层于该掺杂化合物半导体层上； 形成一第二刻蚀停止层于该第一刻蚀停止层上； 形成一介电层于该第二刻蚀停止层上，其中该介电层覆盖部分该掺杂化合物半导体层及该掺杂化合物半导体层所露出的该阻障层； 形成一刻蚀保护层于该介电层上； 执行一第一刻蚀工艺，刻蚀穿过该刻蚀保护层且部分穿过该介电层，以形成一凹口于该介电层中； 执行一第二刻蚀工艺，刻蚀该凹口下方的该介电层以形成一开口，该开口露出部分该第二刻蚀停止层，其中在该第二刻蚀工艺期间，该刻蚀保护层保护下方的该介电层免于刻蚀； 执行一移除工艺，移除该介电层上剩余的该刻蚀保护层；以及 形成一栅极金属层以填充该开口。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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