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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利一种三维相变存储器的形成方法及三维相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210105229.6，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权一种三维相变存储器的形成方法及三维相变存储器是由刘峻设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维相变存储器的形成方法及三维相变存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种三维相变存储器的形成方法及三维相变存储器，其中方法包括：采用沿第一方向延伸的多个初始刻蚀图案，刻蚀第一掩膜叠层，以形成第一刻蚀掩膜叠层；在所述第一刻蚀掩膜叠层表面形成第二掩模叠层；采用沿第二方向延伸的多个二次刻蚀图案，依次刻蚀所述第二掩膜叠层和所述第一刻蚀掩膜叠层，形成二次刻蚀掩膜叠层，其中，所述二次刻蚀掩膜叠层具有网格状图案；以所述二次刻蚀掩膜叠层为掩膜，刻蚀相变存储单元叠层，以形成柱状的相变存储单元。

本发明授权一种三维相变存储器的形成方法及三维相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种三维相变存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一叠层结构；所述叠层结构包括依次堆叠的相变存储单元叠层和第一掩膜叠层； 采用沿第一方向延伸的多个初始刻蚀图案，刻蚀所述第一掩膜叠层，以形成第一刻蚀掩膜叠层； 在所述第一刻蚀掩膜叠层表面形成第二掩膜叠层； 采用沿第二方向延伸的多个二次刻蚀图案，依次刻蚀所述第二掩膜叠层和所述第一刻蚀掩膜叠层，形成二次刻蚀掩膜叠层，其中，所述二次刻蚀掩膜叠层具有网格状图案； 以所述二次刻蚀掩膜叠层为掩膜，刻蚀所述相变存储单元叠层，以形成柱状的相变存储单元；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直； 其中，所述第一掩膜叠层至少包括：从下往上依次堆叠的第一掩膜层、第二掩膜层、第三掩膜层、第一芯轴层、第一介质层和第一阻挡层； 形成所述多个初始刻蚀图案的方法包括： 对所述第一阻挡层进行图案化处理，形成第一刻蚀阻挡层； 以所述第一刻蚀阻挡层为掩膜，依次刻蚀所述第一介质层和所述第一芯轴层，并去除剩余的第一刻蚀阻挡层，形成第一刻蚀芯轴层； 基于所述第一刻蚀芯轴层的芯轴图案，沉积形成位于所述第一刻蚀芯轴层中每一第一芯轴体两侧的第一间隔体；其中，所述第一间隔体具有所述初始刻蚀图案； 去除所述第一刻蚀芯轴层，形成沿所述第一方向延伸的多个初始刻蚀图案。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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