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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利使用由内部固件进行自验证的用于NAND存储器的冗余数据保护获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114514581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280000363.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权使用由内部固件进行自验证的用于NAND存储器的冗余数据保护是由何有信设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用由内部固件进行自验证的用于NAND存储器的冗余数据保护在说明书摘要公布了：本公开内容提供了一种用于NAND存储器的数据保护的方法。所述方法包括：根据编程数据对NAND闪存设备的第一页和第二页进行编程，使得存储在所述第一页和第二页中的数据是冗余的。对所述第一页和第二页的所述编程包括：使用多个编程电压的多个编程操作以及用于根据所述编程数据确定所述第一页的经编程存储单元是否具有阈值电压电平的多个验证操作。所述方法还包括：基于所述多个验证操作中的每个验证操作返回通过结果来确定对所述第一页和第二页的编程的完成。所述方法还包括：在所述确定之后，由所述NAND闪存设备执行对所述第二页的读取操作，以对存储在所述第二页的数据进行自验证。

本发明授权使用由内部固件进行自验证的用于NAND存储器的冗余数据保护在权利要求书中公布了：1.一种用于NAND闪存设备的编程方法，包括： 将编程数据编程到所述NAND闪存设备的第一区域或者第二区域，其中，所述第一区域具有高于阈值概率的编程失败概率， 其中，将所述编程数据编程到所述第一区域包括： 使用单层单元闪存SLC编程来根据所述编程数据对所述第一区域的第一页进行编程，并且使用多层单元闪存MLC编程、三层单元闪存TLC编程或四层单元闪存QLC编程来根据所述编程数据对所述第一区域的第二页进行编程，其中，存储在所述第一页和所述第二页中的数据是冗余的，其中，所述第一页和所述第二页中的每个页包括与第一字线或第二字线相对应的多个存储单元，并且其中，对所述第一页和所述第二页的编程包括： 使用多个编程电压的多个编程操作；以及 多个验证操作，其中，所述多个验证操作中的一些验证操作是在所述多个编程操作中的相对应的一些编程操作之后执行的，以根据所述编程数据确定所述第一页的经编程存储单元是否具有阈值电压电平； 基于所述多个验证操作中的每个验证操作返回通过结果来确定对所述第一页和所述第二页的编程的完成；以及 在所述确定之后，执行由所述NAND闪存设备对所述第二页的读取操作，以根据所述编程数据对存储在所述第二页处的数据进行自验证，以及 其中，将所述编程数据编程到所述第二区域包括：在不使用SLC编程的情况下对所述第二区域进行编程。

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