南京大学缪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743572B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210392734.3，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构是由缪峰;梁世军;潘晨;王聪设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构在说明书摘要公布了：本发明公开了基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构，包括m*n个2D1R单元结构，组成m行n列的忆阻器阵列，将每个2D1R单元结构分别记为Uijij；所述2D1R单元结构包括忆阻器R、二极管D11、二极管D22，二极管D11正极和二极管D22负极相连，忆阻器R负极和两个二极管的连接节点相连；所述忆阻器R的正极连接电压信号输入总线，二极管D11负极连接正电流信号输出总线，二极管D22正极连接负电流信号输出总线。本发明的技术方案能够实现高密度集成，低功耗操作，能够有效解决阵列中单元结构间电流串扰问题。
本发明授权基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构在权利要求书中公布了：1.一种基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构，其特征在于：包括m*n个2D1R单元结构，组成m行n列的忆阻器阵列，其中，m和n均为大于1的正整数，将每个2D1R单元结构分别记为Uij，其中，1≤i≤m，1≤j≤n，i，j是正整数； 所述2D1R单元结构包括忆阻器R、二极管D1、二极管D2，二极管D1正极和二极管D2负极相连，忆阻器R负极和两个二极管的连接节点相连；所述忆阻器R的正极连接电压信号输入总线，二极管D1负极连接正电流信号输出总线，二极管D2正极连接负电流信号输出总线。
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