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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823736B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210516996.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权电子装置是由余文强;王超设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子装置。其包括第一基板、半导体层、第一金属层以及第二金属层；半导体层包括多个有源部，各有源部包括源极接触子部和漏极接触子部；第一金属层设置于半导体层远离第一基板的一侧，并包括多个源极和多个数据线，一源极的一端与一数据线电性连接，另一端与一有源部的源极接触子部电性连接；第二金属层设置于半导体层远离第一基板的一侧并与第一金属层异层设置，第二金属层包括多个漏极，一漏极与一有源部的漏极接触子部电性连接；其中，第一金属层包括多个数据线组，各数据线组包括多个数据线，任意相邻两数据线组之间的距离小于任一数据线组内任意相邻两数据线之间的距离。本发明可以提高电子装置的分辨率并降低工艺难度。

本发明授权电子装置在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，其特征在于，包括： 第一基板； 半导体层，设置于所述第一基板的一侧，所述半导体层包括多个有源部，各所述有源部包括源极接触子部、漏极接触子部以及位于所述源极接触子部和所述漏极接触子部之间的沟道子部； 第一金属层，设置于所述半导体层远离所述第一基板的一侧，并包括多个源极以及多个数据线，一所述源极的一端与对应的一所述数据线电性连接，另一端与一所述有源部的所述源极接触子部电性连接，多个所述数据线沿第一方向排列且沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相异； 第二金属层，设置于所述半导体层远离所述第一基板的一侧并与所述第一金属层异层设置，所述第二金属层包括多个漏极，一所述漏极与一所述有源部的所述漏极接触子部电性连接； 其中，所述第一金属层包括多个数据线组，且各所述数据线组包括多个所述数据线，任意相邻两所述数据线组之间的距离小于任一所述数据线组内任意相邻两所述数据线之间的距离； 其中，所述电子装置包括多个像素区，每一所述像素区皆包括第一子像素区、沿所述第一方向与所述第一子像素区相邻的第二子像素区、沿所述第二方向与所述第一子像素区相邻的第三子像素区，以及沿所述第一方向与所述第三子像素区相邻以及沿所述第二方向与所述第二子像素区相邻的第四子像素区； 每一所述数据线组包括第一数据线、第二数据线以及第三数据线，一所述像素区内的所述第一子像素区和所述第三子像素区皆位于对应的一所述数据线组内的所述第一数据线和所述第二数据线之间，一所述像素区内的所述第二子像素区位于对应的一所述数据线组内的所述第二数据线和所述第三数据线之间； 所述多个源极包括多个第一源极、多个第二源极和多个第三源极，所述多个漏极包括多个第一漏极、多个第二漏极和多个第三漏极，所述第一数据线依次通过所述第一源极和所述第一漏极电性连接于所述第一子像素区的像素电极，所述第二数据线依次通过所述第二源极和所述第二漏极电性连接于所述第二子像素区的像素电极，所述第三数据线依次通过所述第三源极和所述第三漏极电性连接于所述第三子像素区的像素电极； 其中，在同一所述像素区和对应的所述数据线组中，所述第一漏极位于所述第一数据线和所述第二数据线之间，所述第二漏极位于所述第二数据线和所述第三数据线之间，所述第三漏极位于所述第四子像素区内以位于所述第二数据线和所述第三数据线之间。

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