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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种多孔有机场效应晶体管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210528282.7，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种多孔有机场效应晶体管及其制备方法和应用是由夏建龙;陈立;吴迪;王东雪设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多孔有机场效应晶体管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多孔有机场效应晶体管及其制备方法和应用。该制备方法，包括以下步骤：通过飞秒激光在介电层表面烧蚀形成多孔介电层；飞秒激光加工过程中，载物台移动速度为10000～500000μms；通过模板引导作用在多孔介电层表面形成多孔有机半导体层；在多孔有机半导体层上制备源电极和漏电极。本发明借助飞秒激光加工技术，通过调整加工平台移动速度，可以使单个飞秒激光脉冲与聚合物介电层发生烧蚀作用，得到的多孔模板具有表面光滑、缺陷少、孔径均一、图案精度高、图案可控、器件重复性好等特点，并使最终得到的有机场效应晶体管展现出优异的场效应转移特性曲线；该方法方便快捷，可用于快速制备高性能的气体传感器件，具有很好的普适性。

本发明授权一种多孔有机场效应晶体管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种多孔有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供具有栅电极层的基底； 在所述具有栅电极层的基底表面形成介电层，并通过飞秒激光在介电层表面烧蚀形成多孔介电层； 通过模板引导作用在所述多孔介电层表面形成多孔有机半导体层； 在所述多孔有机半导体层上制备源电极和漏电极，得到多孔有机场效应晶体管；其中， 所述通过飞秒激光在介电层表面烧蚀形成多孔介电层的步骤包括：将具有栅电极层和介电层的基底置于可移动的载物台上，并将飞秒激光经物镜聚焦到介电层表面，移动载物台，使飞秒激光扫描介电层表面，调节飞秒激光参数和载物台移动速度，在介电层表面烧蚀出一系列孔洞结构，形成多孔介电层；飞秒激光加工过程中，载物台移动速度为10000~500000µms，飞秒激光重频1kHz~10MHz，飞秒激光脉宽为5~1000fs，飞秒激光能量密度为0.1Jcm2~100Jcm2，中心波长为50~2000nm，物镜的数值孔径为NA0.05~NA2.0。

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