铠侠股份有限公司荒井史隆获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利存储装置及存储装置的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114842888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110930286.3，技术领域涉及：G11C11/00；该发明授权存储装置及存储装置的控制方法是由荒井史隆设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置及存储装置的控制方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种提升存储装置品质的存储装置及存储装置的控制方法。实施方式的存储装置包含：第1及第2积层体700，沿与衬底80的表面平行的第2方向排列，且分别包含沿与衬底80的表面垂直的第1方向排列的第1半导体层70；字线50，覆盖积层体700；第2及第3半导体层300a，在第1方向上，分别设置于第1及第2积层体700的上方；存储单元MC，设置在第1半导体层70与字线50之间；第2半导体层上的第1晶体管TRn；及第3半导体层上的第2晶体管。第1及第2积层体700在第2方向上以第1间距Da排列，第1及第2半导体层300a在第2方向上以第2间距D1排列，且第2间距D1等于第1间距Da。
本发明授权存储装置及存储装置的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，具备： 衬底； 第1及第2积层体，沿与所述衬底的表面平行的第2方向排列，且分别包含沿与所述衬底的表面垂直的第1方向排列的多个第1半导体层； 多个字线，覆盖所述第1及第2积层体； 第2半导体层，在所述第1方向上，设置于所述第1积层体的上方； 第3半导体层，在所述第1方向上，设置于所述第2积层体的上方； 多个存储单元，分别设置在所述多个第1半导体层与所述多个字线之间； 第1晶体管，设置在所述第2半导体层上；及 第2晶体管，设置在所述第3半导体层上； 所述第1及第2积层体在所述第2方向上以第1间距排列， 所述第1及第2半导体层在所述第2方向上以第2间距排列，且 所述第2间距等于所述第1间距。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人铠侠股份有限公司，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励