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武汉华星光电技术有限公司艾飞获国家专利权

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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114975613B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210711889.9,技术领域涉及:H10D64/23;该发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板是由艾飞;宋德伟;龙时宇设计研发完成,并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

阵列基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了:本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,该阵列基板包括第一电极层、有源层、栅极绝缘层以及第二电极层,第一电极层包括第一金属层和与第一金属层绝缘设置的第二金属层,有源层搭接在第一电极层的侧壁上,有源层的两端分别与第一金属层和第二金属层接触,其中,在阵列基板的俯视图方向上,第二电极层和第一电极层呈夹角设置;本申请将有源层搭接在第一电极层的侧壁上,且第二电极层和第一电极层呈夹角设置,从而使得有源层在阵列基板的俯视图方向上的正投影面积减少,因此在与平面上制备有源层的现有技术相比,本申请在斜面上制备有源层对所述阵列基板的不透光面积占据的更小,从而增加了阵列基板的开口率。

本发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,包括: 第一电极层,包括第一金属层和设置于所述第一金属层上的第二金属层,所述第一金属层与所述第二金属层绝缘设置,所述第一电极层具有相对的两个侧壁; 有源层,搭接在所述第一电极层的侧壁上,所述有源层的两端分别与所述第一金属层和所述第二金属层接触; 栅极绝缘层,覆盖所述有源层和所述第一电极层;以及 第二电极层,设置于所述栅极绝缘层上; 其中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述第二电极层和所述第一电极层呈夹角设置;所述阵列基板还包括第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层,所述第一电极层位于所述第一欧姆接触层与所述第二欧姆接触层之间;所述有源层的两端分别与所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层接触;所述有源层包括第一有源部以及与所述第一有源部间隔设置的第二有源部,所述第一有源部包括搭接在所述第一电极层的一个所述侧壁上的第一子倾斜部,所述第二有源部包括搭接在所述第一电极层的另一个所述侧壁上的第二子倾斜部;所述第二欧姆接触层的一端与所述第一子倾斜部接触,另一端与所述第二子倾斜部接触,所述第二电极层连续覆盖所述第一子倾斜部和所述第二子倾斜部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司,其通讯地址为:430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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