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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利SGT器件及工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210806619.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权SGT器件及工艺方法是由石磊设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本SGT器件及工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种SGT器件及其工艺方法，包含：第一步，在半导体衬底表面形成复合层；在半导体衬底上进行刻蚀形成沟槽；第二步，淀积一层第一氧化层，然后再淀积一层第一多晶硅；将所述的沟槽填满；第三步，对所述第一多晶硅进行回刻，形成所述SGT器件的源极；第四步，对所述沟槽内的第一氧化层进行刻蚀；第五步，形成衬垫氧化层，然后沉积第二多晶硅并回刻；第六步；沉积介质层；然后去除所述半导体衬底表面的复合层；再进行刻蚀形成沟槽内部的上部空间；第七步，形成栅介质层及栅极；第八步，分别进行离子注入形成阱区、源区；形成接触孔；制作顶层金属完成后续工艺。本发明所述的SGT器件包含浮空电极形成横向场板，优化漂移区电场，提高击穿电压。

本发明授权SGT器件及工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种SGT器件的工艺方法，形成上下结构的SGT器件，其特征在于：包含如下的工艺步骤： 第一步，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面依次沉积氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层形成复合层；光刻及刻蚀打开复合层，对露出的半导体衬底进行刻蚀形成沟槽； 第二步，淀积一层第一氧化层，然后再淀积一层第一多晶硅；将所述的沟槽填满； 第三步，对所述沟槽内的所述第一多晶硅进行回刻，形成所述SGT器件的源极； 第四步，对所述沟槽内的第一氧化层进行刻蚀，刻蚀后使得沟槽内壁上的第一氧化层的上顶面低于沟槽内保留的第一多晶硅的上顶面，形成一定的落差； 第五步，形成衬垫氧化层；所述衬垫氧化层覆盖沟槽内壁以及第一多晶硅的上顶面以及其高出第一氧化层的侧壁；然后沉积第二多晶硅并回刻，使保留的所述第二多晶硅全部位于第一多晶硅两侧与所述沟槽内壁之间所形成的落差空间内，所述刻蚀后保留的第二多晶硅作为浮空电极； 第六步；沉积介质层；所述介质层填充满沟槽；然后去除所述半导体衬底表面的复合层；再进行刻蚀，使沟槽内的介质层的上顶面低于所述半导体衬底的表面，形成沟槽内部的上部空间，形成栅介质层； 第七步，然后在所述沟槽的上部空间内填充第三多晶硅并回刻； 第八步，对所述沟槽外侧的所述半导体衬底分别进行离子注入形成阱区、在阱区中的源区；形成延伸至源区的接触孔；制作连接接触孔的顶层金属完成后续工艺。

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