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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295547B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210784674.X，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件是由孔谋夫;胡泽伟;陈宗棋;高佳成设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体提供一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件；本发明采用多晶硅碳化硅异质结、硅碳化硅异质结、氧化镍碳化硅异质结或集成肖特基二极管结构来改善碳化硅MOSFET的反向恢复特性，实现自我可逆导，进而实现更低的反向恢复损耗和更高的反向恢复性能，最终降低反向恢复损耗以及避免使用片外续流二极管，降低了应用成本和系统的体积；与此同时，进一步引入高k绝缘体和或超结结构、氧化镍碳化硅异质结超结结构、以及氧化镍绝缘层碳化硅超结结构，这些新型结构在增大击穿电压的同时，能够有效降低比导通电阻，从而降低了导通损耗，极大地改善器件的性能。

本发明授权一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件在权利要求书中公布了：1.一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件，包括：第一导电类型重掺杂碳化硅衬底区1，设置于第一导电类型重掺杂碳化硅衬底区1下的金属化漏极11，设置于第一导电类型重掺杂碳化硅衬底区1上的第一导电类型掺杂碳化硅漂移区2；其特征在于， 所述第一导电类型掺杂碳化硅漂移区2上设置有第二导电类型掺杂碳化硅基区7、以及位于第二导电类型掺杂碳化硅基区7两侧的半导体异质区3与槽栅，所述第二导电类型掺杂碳化硅基区7上设置有第二导电类型重掺杂碳化硅源极接触区5与第一导电类型重掺杂碳化硅源极接触区6，所述半导体异质区3、第二导电类型重掺杂碳化硅源极接触区5与第一导电类型重掺杂碳化硅源极接触区6上均覆盖源极金属4，所述槽栅由位于槽壁的氧化层9与填充于槽内的多晶硅栅极8构成，所述槽栅下还设置有第二导电类型重掺杂碳化硅屏蔽区10；所述半导体异质区3为第二导电类型重掺杂氧化镍区，相应的半导体异质区3与第一导电类型掺杂碳化硅漂移区2形成氧化镍碳化硅异质结结构； 所述碳化硅场效应功率晶体管器件中还设置有高k绝缘体12与第二导电类型掺杂碳化硅漂移区14，所述高k绝缘体与第二导电类型掺杂碳化硅漂移区并列设置于半导体异质区3与第一导电类型重掺杂碳化硅衬底区1之间、且第二导电类型掺杂碳化硅漂移区位于第一导电类型掺杂碳化硅漂移区2一侧，沿半导体异质区3指向第一导电类型重掺杂碳化硅衬底区1的方向，所述高k绝缘体与第二导电类型掺杂碳化硅漂移区具有相同深度。

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