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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种显示模组及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295573B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211037174.6，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种显示模组及其制备方法是由谈江乔;刘鉴明;吴双设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种显示模组及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示模组及其制备方法，该显示模组在衬底基板表面设置挡墙层，且挡墙层包括阵列排布的多个挡墙单元，每个挡墙单元包括环状封闭的侧壁，使得每个挡墙单元在衬底基板表面限定出一个矩形的容置区域，一个容置区域对应键合一个LED芯片，且在容置区域的长度方向上，容置区域的长度大于LED芯片的长度，且不大于LED芯片的长度的32，在容置区域的宽度方向上，容置区域的宽度大于LED芯片的宽度，且不大于LED芯片的宽度的32，从而使得每个LED芯片能够被一个容置区域对应的挡墙单元所限定，减轻LED芯片的歪斜和位置偏移，提高LED芯片键合到衬底基板上的准直度，提高LED芯片与衬底基板的键合精度。

本发明授权一种显示模组及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示模组，其特征在于，包括： 衬底基板； 位于所述衬底基板表面的挡墙层，所述挡墙层为无机薄膜层，所述挡墙层包括阵列排布的多个挡墙单元，每个所述挡墙单元包括环状封闭的侧壁，使得每个所述挡墙单元在所述衬底基板表面限定出一个矩形的容置区域； 以及与所述衬底基板键合连接的多个LED芯片，每个所述容置区域对应一个所述LED芯片，所述LED芯片包括N电极和P电极，所述N电极通过一个焊盘结构与所述衬底基板键合连接，所述P电极通过一个焊盘结构与所述衬底基板键合连接； 其中，在第一方向上，所述容置区域的长度大于所述LED芯片的长度，且不大于所述LED芯片的长度的32，在第二方向上，所述容置区域的宽度大于所述LED芯片的宽度，且不大于所述LED芯片的宽度的32，所述第一方向平行于所述容置区域的长度方向，所述第二方向平行于所述容置区域的宽度方向； 在垂直于所述衬底基板表面的方向上，每个所述挡墙单元的侧壁的高度不小于该挡墙单元包围的LED芯片的高度的12； 所述显示模组还包括： 反射层，所述反射层包括一体成型的第一反射部分和第二反射部分，所述第一反射部分覆盖各个所述挡墙单元侧壁的表面，所述第二反射部分覆盖各个所述容置区域； 所述LED芯片位于所述容置区域对应的第二反射部分背离所述衬底基板的一侧，且每个所述容置区域对应的第二反射部分具有通孔，使得所述LED芯片通过所述第二反射部分上的通孔与所述衬底基板键合连接。

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