三菱电机株式会社张坤好获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利无刻蚀ALGaN GaN三栅晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180022952.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权无刻蚀ALGaN GaN三栅晶体管是由张坤好;N·乔杜里设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本无刻蚀ALGaN GaN三栅晶体管在说明书摘要公布了：包括源极、栅极和漏极的场效应晶体管器件的设备和方法。该晶体管包括位于源极、栅极和漏极下方的半导体区域位置。使得半导体区域可以包括氮化镓GaN层和III族元素氮化物III‑N层。其中，GaN层包括带隙，并且III‑N层包括带隙。使得III‑N层带隙高于GaN层带隙。半导体区域的子区域位于栅极下方并且在子区域中的选定位置处掺杂有Mg离子。
本发明授权无刻蚀ALGaN GaN三栅晶体管在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，所述场效应晶体管包括： 源极；栅极；漏极； 半导体区域位于所述源极、所述栅极和所述漏极下方，使得所述半导体区域包括氮化镓GaN层和三族元素氮化物III-N层，其中，所述GaN层包括带隙，并且所述III-N层包括带隙，使得所述III-N层带隙高于所述GaN层带隙；并且 所述半导体区域的在所述栅极下方的子区域在所述子区域中的选定位置处掺杂有Mg离子，其中，所述子区域中的掺杂有Mg离子的每个选定位置具有轮廓，使得所述轮廓包括垂直轮廓长度和轮廓宽度，其中，所述轮廓形成图案，使得所述轮廓的轮廓宽度沿着从所述场效应晶体管的第一宽度端到第二宽度端的方向增加，导致比在从所述场效应晶体管的所述第一宽度端到所述第二宽度端的方向上具有恒定轮廓宽度的轮廓更高的线性度。
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