上海华力微电子有限公司孟春霞获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种流体导流装置及晶圆清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115509089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211343860.6，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权一种流体导流装置及晶圆清洗方法是由孟春霞;张辰明;孟鸿林;魏芳设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种流体导流装置及晶圆清洗方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种流体导流装置，包括：主体结构，其内侧壁从下至上依次设置有第一环形凹槽、第二环形凹槽和第三环形凹槽；形成于主体结构中的喷气组件，用于对晶圆的侧面喷射气体以隔断晶圆上下两侧清洗液的相互渗入；形成于主体结构中的吸气组件，用于在第一环形凹槽和第三环形凹槽中产生负压气流以引导晶圆上下两侧的清洗液按照设定方向排出。本发明还提供一种基于所述流体导流装置的晶圆清洗方法。本发明提供的装置和方法，实现了晶边的清洗液和晶背清洗液的分隔和导流，避免了晶背的清洗液和晶边的清洗液溅射到光刻胶层上进而影响光刻胶层厚度均匀性的问题。
本发明授权一种流体导流装置及晶圆清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种流体导流装置，其特征在于，包括： 主体结构，所述主体结构为中空圆柱体，所述中空圆柱体的内侧壁从下至上依次设置有第一环形凹槽、第二环形凹槽和第三环形凹槽； 形成于所述主体结构中的喷气组件，用于对晶圆的侧面喷射气体以隔断晶圆上下两侧清洗液的相互渗入，所述喷气组件包含喷气孔，所述喷气孔设置于所述第二环形凹槽底部；所述喷气孔为多个并且均匀分布于所述第二环形凹槽底部； 形成于所述主体结构中的吸气组件，用于在所述第一环形凹槽和第三环形凹槽中产生负压气流以引导晶圆上下两侧的清洗液按照设定方向排出，所述吸气组件包含吸气孔，所述吸气孔设置于所述第一环形凹槽和所述第三环形凹槽底部。
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