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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利增加闪存器件工艺窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211452020.3，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权增加闪存器件工艺窗口的方法是由吴志涛;李志国;徐杰;刘志斌;孙峥;周洋;王飞飞设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本增加闪存器件工艺窗口的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种增加闪存器件工艺窗口的方法，方法包括：提供一半导体结构，半导体结构包括第一存储器件区及第二存储器件区，且半导体结构包括衬底、栅氧化层、浮栅多晶硅层、栅间介质层及控制栅多晶硅层；于半导体结构的表面形成第一阻挡层及第二阻挡层；刻蚀第二阻挡层、第一阻挡层、控制栅多晶硅层、栅间介质层及浮栅多晶层以形成字线填充沟槽；于字线填充沟槽内形成字线多晶硅层；利用化学机械研磨工艺对字线多晶硅层进行研磨以形成字线；去除第二阻挡层。通过本发明解决了以现有的氧化层作为硬掩膜层导致同一晶圆不同区域或不同晶圆的硬掩膜层的厚度差异较大，且产生负有载效应的问题。

本发明授权增加闪存器件工艺窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种增加闪存器件工艺窗口的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一半导体结构，所述半导体结构包括第一存储器件区及第二存储器件区，且所述半导体结构包括衬底及由下到上依次形成于所述衬底上的栅氧化层、浮栅多晶硅层、栅间介质层及控制栅多晶硅层； 于所述半导体结构的表面形成第一阻挡层及第二阻挡层，且所述第二阻挡层形成于所述第一阻挡层的表面； 刻蚀所述第二阻挡层、所述第一阻挡层、所述控制栅多晶硅层、所述栅间介质层及所述浮栅多晶硅层以于所述第一存储器件区及所述第二存储器件区形成字线填充沟槽； 于所述字线填充沟槽内形成字线多晶硅层，且所述字线多晶硅层延伸至所述字线填充沟槽以外的所述第二阻挡层的表面； 利用化学机械研磨工艺对所述字线多晶硅层进行研磨以形成字线； 去除所述第二阻挡层； 其中，去除所述第二阻挡层的方法包括：利用化学机械研磨工艺完成对所述字线多晶硅层的研磨之后继续研磨所述第二阻挡层，直至剩余预设厚度的所述第二阻挡层，再采用热磷酸将其去除；或者，去除所述第二阻挡层的方法包括：利用化学机械研磨工艺完成对所述字线多晶硅层的研磨之后继续研磨所述第二阻挡层直至检测到所述第一阻挡层的相关物质信号，再采用热磷酸将仍存在的所述第二阻挡层去除。

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