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龙图腾网获悉上海三邦水处理技术有限公司申请的专利一种半导体废水处理工艺流程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121044779B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511603862.8，技术领域涉及：C02F9/00；该发明授权一种半导体废水处理工艺流程是由陈丽设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体废水处理工艺流程在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体废水处理工艺流程，属于废水处理技术领域。本发明通过多级处理实现重金属、氟化物及有机物的高效去除。工艺流程包括：S1预处理，废水经5mm孔径格栅拦截后，在调节池中均质4~6h；S2吸附处理，采用氮掺杂金属氧化物复合吸附剂，通过200~300rmin搅拌4~6h吸附污染物，该吸附剂由六水硝酸镍、氯化铁经氨氮混合气造孔，并与硝酸铜、硝酸铈、草酸复合焙烧制得多孔结构；S3膜分离，使用聚酰胺复合纳滤膜截留残留污染物。本发明通过优化吸附剂孔隙结构及金属组分协同作用，显著提升Cu2+2+、F‑‑等污染物去除率。

本发明授权一种半导体废水处理工艺流程在权利要求书中公布了：1.一种半导体废水处理工艺流程，其特征在于，所述工艺流程具体步骤如下， S1：将废水先通过格栅拦截，通入调节池中，在调节池内均质处理4~6h； S2：将均质处理后的废水通入沉淀池中，加入吸附剂，以200~300rmin的转速搅拌4~6h，过滤； 其中，吸附剂由六水硝酸镍、氯化铁、硝酸铜、硝酸铈混合制得，并通过通入氨氮混合气和加入草酸，形成氮掺杂的金属氧化物复合多孔结构； 所述吸附剂的制备流程如下， S2.1：将六水硝酸镍分散于水醇溶液中，以150rmin的转速搅拌0.5h，得到质量分数为40~50%的混合溶液A； S2.2：向混合溶液A中加入氯化铁，加入的氯化铁和六水硝酸镍的质量比为1：1~2，持续搅拌，并将转速提升至200rmin，搅拌的同时升温至40~50℃，恒温后搅拌0.5h，得到混合溶液B； S2.3：将混合溶液转移至密闭的反应釜中，并向反应釜中通入氨氮混合气，通入气体0.5h后，从室温升温至250℃，升温速率为5℃min，在该温度下恒温反应2h后再以10℃min升温至500℃反应4h，反应完成后在氮气气氛下冷却至室温，过滤，用去离子水洗涤，在80℃下干燥12h，得到固体产物C； S2.4：将固体产物C和硝酸铜、硝酸铈以3：1~3：1的质量比混合，在球磨机中以400rmin的转速研磨1h，再加入1wt%草酸，0.5wt%分散剂，将转速提升至600rmin继续搅拌1h，得到混合物D； S2.5：将混合物D从室温升温至350~450℃下焙烧4~6h，对焙烧后得到的固体粉碎研磨，得到所述吸附剂； S3：将过滤后的废液采用纳滤膜进行分离处理，完成废液的处理流程。

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