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龙图腾网获悉佛山市金舵陶瓷有限公司;佛山市天纬陶瓷有限公司;广西新舵陶瓷有限公司申请的专利一种多矩阵立体分布的彩虹晶粒瓷砖及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121044927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511604087.8，技术领域涉及：C04B41/89；该发明授权一种多矩阵立体分布的彩虹晶粒瓷砖及制备方法是由潘玉霞;何绍春;林维展;屈志雄;李惠婷设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多矩阵立体分布的彩虹晶粒瓷砖及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多矩阵立体分布的彩虹晶粒瓷砖及制备方法，属于建筑陶瓷技术领域。本发明的瓷砖从下至上依次包括坯体层、面釉层、图案层、胶水图案层、彩虹晶粒层、保护釉层、透明干粒层和胶水保护层。彩虹晶粒层由彩虹晶粒和透明干粒按一定比例混合而成，保护釉层则由保护釉与胶水混合而成。各层的化学成分、施釉量和颗粒级配均经过优化设计。制备方法包括陶瓷坯体制备、多层布施、喷墨打印、烧成及后续处理等步骤。此技术旨在解决现有仿石材技术在仿真度、性能和成本上的矛盾，提供一种高仿真度、优异物理性能且环境友好的工业化生产方案。

本发明授权一种多矩阵立体分布的彩虹晶粒瓷砖及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多矩阵立体分布的彩虹晶粒瓷砖，其特征在于，所述多矩阵立体分布的彩虹晶粒瓷砖从下至上依次包括坯体层、面釉层、图案层、胶水图案层、彩虹晶粒层、保护釉层、透明干粒层以及胶水保护层； 其中，所述彩虹晶粒层由质量比为1：0.5~0.8的彩虹晶粒以及透明干粒混合均匀的混合干粒制备得到，且彩虹晶粒的始熔点为1250℃~1280℃，透明干粒的始熔点为1130℃~1180℃；所述彩虹晶粒瓷砖的烧成温度为1170℃~1210℃，保温10min~20min； 所述彩虹晶粒包括以下质量百分比的成分：SiO2:25~40%、ZrO2:60~75%； 所述彩虹晶粒的级配为：60目以上：无，60目~80目：35~50%，80目~100目：15~30%，100目~120目：8~18%，120目~150目：5~15%，150目~200目：5~15%，200目以下：1~5%； 所述透明干粒层由透明干粒制备得到，且与所述彩虹晶粒层中的透明干粒相同； 透明干粒包括以下质量百分比的化学成分： SiO2：55~65%、Al2O3:5~10%、CaO:8~15%、MgO:0.66~1.7%、K2O:3~8%、Na2O:0.5~4%、ZnO:8~15%、烧失：1~3%； 透明干粒的级配为：30目以上：无，30目~60目：20~40%，60目~80目：15~30%，80目~100目：18~30%，100目~120目：10~25%，120目以下：0~10%； 所述保护釉层由质量比为0.3~0.5：1的保护釉与胶水混合的釉浆制备得到； 所述保护釉包括以下质量百分比的成分： SiO2：60~70%、Al2O3:8~15%、CaO:5~10%、MgO:0.5~4%、K2O:0.5~3%、Na2O:4~8%、ZnO:2~5%、SrO:1~3%、烧失：2~5%； 所述胶水保护层为：在所述透明干粒层上喷胶水固定干粒，经过干燥窑的干燥处理，形成胶水保护层。

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