上海天岳半导体材料有限公司宋猛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海天岳半导体材料有限公司申请的专利一种低电阻率碳化硅晶片及位错表征方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121237670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511814492.2，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种低电阻率碳化硅晶片及位错表征方法是由宋猛;王凯;苗泽;刘硕;王兴陶;田延童设计研发完成，并于2025-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低电阻率碳化硅晶片及位错表征方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种低电阻率碳化硅晶片及位错表征方法，属于碳化硅检测技术领域。其包括下述步骤：1采用SiH44气体及氢气对碳化硅晶片的表面分别进行预处理，处理温度为1800‑1900℃，SiH44气体及氢气的处理时间均为5‑15min，预处理的循环次数为2‑4次；2将腐蚀剂加入至底部呈圆弧状凸起的坩埚中，再将预处理后的碳化硅晶片置于坩埚中进行腐蚀，得到腐蚀后的碳化硅晶片，根据腐蚀后碳化硅晶片表面腐蚀坑的形状及尺寸判断位错种类及统计位错数量。该表征方法能够在不改变腐蚀剂的情况下，对低电阻率的重掺杂N型碳化硅晶片进行准确的位错表征，得到真实的位错识别和统计，便于对低电阻率碳化硅晶片进行分析。
本发明授权一种低电阻率碳化硅晶片及位错表征方法在权利要求书中公布了：1.一种低电阻率碳化硅晶片的位错表征方法，其特征在于，所述低电阻率碳化硅晶片的电阻率为6-15mΩ·cm，其包括下述步骤： 1采用SiH4气体及氢气对碳化硅晶片的表面先后进行预处理，预处理温度均为1800-1900℃，SiH4气体及氢气的处理时间均为5-15min，采用SiH4气体及氢气进行预处理的循环次数为2-4次； 2将腐蚀剂加入至底部呈圆弧状凸起的坩埚中，再将预处理后的碳化硅晶片置于坩埚中进行腐蚀，得到腐蚀后的碳化硅晶片，根据腐蚀后碳化硅晶片表面腐蚀坑的形状及尺寸判断位错种类及统计位错数量。
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