重庆武瓴智行科技有限公司董小闵获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆武瓴智行科技有限公司申请的专利双通道非对称阻尼特性磁流变阻尼器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223881621U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520707558.7，技术领域涉及：F16F9/53；该实用新型双通道非对称阻尼特性磁流变阻尼器是由董小闵;任志曌;戴善文设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本双通道非对称阻尼特性磁流变阻尼器在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种双通道非对称阻尼特性磁流变阻尼器，包括磁流变阻尼器本体，磁流变阻尼器本体包括工作缸和设置于工作缸内并将工作缸分隔为上腔和下腔的活塞组件，磁流变阻尼器本体内设有用于连通上腔和下腔的第一阻尼通道和第二阻尼通道；活塞组件包括滑动设置于工作缸的活塞套筒和同轴固设于活塞套筒内的活塞芯体，第一阻尼通道包括形成于活塞套筒外周面和工作缸内周面之间的第一环形通道，第二阻尼通道包括形成于活塞芯体外周面与活塞套筒内周面之间的第二环形通道。本双通道非对称阻尼特性磁流变阻尼器，能够利于减低产品的生产成本，从而能够利于场推广运用；同时，能够利于提高有限布置空间下非对称阻尼特性的调控范围。
本实用新型双通道非对称阻尼特性磁流变阻尼器在权利要求书中公布了：1.一种双通道非对称阻尼特性磁流变阻尼器，其特征在于：包括磁流变阻尼器本体，所述磁流变阻尼器本体包括工作缸1和设置于工作缸1内并将工作缸1分隔为上腔101和下腔102的活塞组件3，所述磁流变阻尼器本体内设有用于连通上腔101和下腔102的第一阻尼通道3a和第二阻尼通道3b； 所述活塞组件3包括滑动设置于工作缸1的活塞套筒301和同轴固设于活塞套筒301内的活塞芯体302，所述第一阻尼通道3a包括形成于活塞套筒301外周面和工作缸1内周面之间的第一环形通道301a，所述第二阻尼通道3b包括形成于活塞芯体302外周面与活塞套筒301内周面之间的第二环形通道302a。
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