台湾积体电路制造股份有限公司锺嘉和获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885546U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423184097.4，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型半导体结构是由锺嘉和;林志勇;潘国华;谢志宏;于殿圣设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括存储器单元、逻辑单元、过渡区以及互连结构，存储器单元连接至信号线、用于接收电源供应电压的第一电压线以及用于接收电性接地电压的第二电压线，逻辑单元被配置以提供逻辑功能至存储器单元，过渡区由存储器单元的第一边界延伸至逻辑单元的第二边界，互连结构位于存储器单元和逻辑单元之上。互连结构包括位于互连结构的同一金属线层的信号线、第一电压线以及第二电压线。信号线由逻辑单元的第二边界内延伸进入存储器单元的第一边界。过渡区包括电性耦接至存储器单元的一或多个功能性晶体管。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一存储器单元，连接至一信号线、一第一电压线以及一第二电压线，上述第一电压线用以接收一电源供应电压，上述第二电压线用以接收一电性接地电压； 一逻辑单元，被配置以提供逻辑功能至上述存储器单元，其中上述逻辑单元被连接至上述信号线、上述第一电压线以及上述第二电压线； 一过渡区，由上述存储器单元的一第一边界延伸至上述逻辑单元的一第二边界；以及 一互连结构，位于上述存储器单元和上述逻辑单元之上， 其中上述互连结构包括位于上述互连结构的相同的一金属线层中的上述信号线、上述第一电压线以及上述第二电压线； 其中上述信号线由上述逻辑单元的上述第二边界内延伸进入上述存储器单元的上述第一边界；以及 其中上述过渡区包括电性耦接至上述存储器单元的一或多个功能性晶体管。
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