深圳市创飞芯源半导体有限公司杨旭刚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳市创飞芯源半导体有限公司申请的专利一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885554U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520504649.0，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件是由杨旭刚;霍颖颖设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件，包括衬底；设于衬底上方的扩展层；扩展层上设置有有源操作区及终端结构区；有源操作区包括P型区、N型区及栅极结构；P型区和N型区呈相间交替排列，共同构成MOSFET的源极结构；本实用新型显著增强了器件的电场调控能力，减少了电场突变，从而大幅提高了器件的击穿电压和稳定性；而且，通过金属场板、钝化层等多层次的保护措施，以及多晶硅栅极结构与金属互连层的高效协同工作，确保了器件免受外界环境影响的同时，实现了对栅极信号的快速响应和精确调控，满足了复杂应用场景下对电流快速开关和精确调节的需求。
本实用新型一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件，其特征在于，包括： 衬底1； 设于所述衬底1上方的扩展层2； 所述扩展层2上设置有有源操作区3及终端结构区4； 所述有源操作区3包括P型区5、N型区6及栅极结构7； 所述P型区5和N型区6呈相间交替排列，共同构成MOSFET的源极结构； 所述栅极结构7位于P型区5上方，所述栅极结构7通过栅极氧化层8与P型区5实现隔离； 所述终端结构区4包括悬浮栅结构9及调控板10； 所述悬浮栅结构9呈环形分布，并通过绝缘层11与所述调控板10相隔，所述调控板10通过金属互连层与悬浮栅结构9电气连接； 所述扩展层2的外表面依次设置有金属场板12及钝化层13。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市创飞芯源半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区69区洪浪北二路26号信义领御研发中心8栋1615；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励