株洲中车时代半导体股份有限公司肖强获国家专利权
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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体股份有限公司申请的专利一种Pin针直出的子功率模块及三相全桥功率模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885556U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520319311.8，技术领域涉及：H10D80/20；该实用新型一种Pin针直出的子功率模块及三相全桥功率模块是由肖强;时海定;刘元剑;常桂钦;石廷昌;余军;张浩亮;蒋浩东;彭静设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Pin针直出的子功率模块及三相全桥功率模块在说明书摘要公布了：本申请属于功率半导体领域，具体涉及一种Pin针直出的子功率模块及三相全桥功率模块，包括绝缘板、多个IGBT芯片、多个FRD芯片、多个金属片和多个Pin针，绝缘板上设有多个集电极连接板和多个发射极连接板，一个IGBT芯片和一个FRD芯片为一组通过金属片与发射极连接板并联，Pin针直接从模块顶部直出，通过金属片键合代替传统的引线键合，可以避开引线通流能力较小的局限，提高通流能力，可以提升半导体功率模块的短路能力和均流能力，并增加了芯片表面热容，可以降低模块在极限工况下芯片的瞬态结温，通过改变金属片的尺寸可以进一步提高功率模块的抗浪涌能力和极限工况能力，进一步提升功率模块可靠性。
本实用新型一种Pin针直出的子功率模块及三相全桥功率模块在权利要求书中公布了：1.一种Pin针直出的子功率模块，其特征在于，包括：绝缘板10、多个IGBT芯片21、多个FRD芯片22、多个金属片30和多个Pin针60，所述绝缘板10上设有多个集电极连接板40和多个发射极连接板50，一个IGBT芯片21和一个FRD芯片22为一组通过金属片30与发射极连接板50并联，所述Pin针60直接从模块顶部直出。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株洲中车时代半导体股份有限公司，其通讯地址为：412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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