台湾积体电路制造股份有限公司黄世民获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光侦测元件、异质接面元件和半导体元件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885568U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520014992.7，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型光侦测元件、异质接面元件和半导体元件是由黄世民;王子睿;朱怡欣;陈祥麟;王铨中设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本光侦测元件、异质接面元件和半导体元件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种光侦测元件、异质接面元件和半导体元件。光侦测元件包括包含半导体材料的半导体基板。吸收区位于半导体基板内。吸收区包括与半导体材料不同的外延材料。倍增区位于半导体基板内且与吸收区分离。通道区位于倍增区和吸收区之间，其中通道区和倍增区在p‑n接面处相接。增强的通道区被掺杂为与吸收区的第二掺杂型相反的第一掺杂型，因此在异质接面处形成了p‑n接面，该p‑n接面通过“引导funneling”电子通过异质接面界面，增加了通过异质接面的电子传输速率。因此，增强了异质接面界面，从而增加了界面处的电子传输速率。
本实用新型光侦测元件、异质接面元件和半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种光侦测元件，其特征在于，包括： 半导体基板，包括半导体材料； 吸收区，位于所述半导体基板内，所述吸收区包括与所述半导体材料不同的外延材料； 倍增区，位于所述半导体基板内且与所述吸收区分离；以及 通道区，位于所述倍增区与所述吸收区之间，其中所述通道区与所述倍增区在p-n接面处相接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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