正泰新能科技股份有限公司余浩获国家专利权
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龙图腾网获悉正泰新能科技股份有限公司申请的专利一种双面选择性钝化接触电池获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223885584U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520376065.X,技术领域涉及:H10F77/30;该实用新型一种双面选择性钝化接触电池是由余浩;王裕俊;梁琪;李俊;王鑫;任宝金;蔡永梅;何胜;徐伟智设计研发完成,并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双面选择性钝化接触电池在说明书摘要公布了:本实用新型属于光伏技术领域。本实用新型提供了一种双面选择性钝化接触电池,其硅衬底的正面和背面均设置有交替排布的非电极区与电极区;电极区包括至少一组钝化接触层结构,钝化接触层结构包括隧穿层和掺杂硅钝化层,非电极区中包括减反钝化层结构;在硅衬底的其中一面,减反钝化层结构与硅衬底之间设置有发射极层,以与该面设置的所述掺杂硅钝化层构成SE,且发射极层的掺杂浓度低于该面的掺杂硅钝化层的掺杂浓度。相比于在单面整体实施钝化接触,通过双面均交替形成钝化接触层结构和减反钝化层结构,能够在优化钝化接触效果的同时,减少复合损失,并避免大面积的寄生吸收问题,从而有效提高短路电流,提升电池的整体效率。
本实用新型一种双面选择性钝化接触电池在权利要求书中公布了:1.一种双面选择性钝化接触电池,其特征在于,包括硅衬底,具有相对的正面和背面,且在正面和背面均设置有交替排布的非电极区与电极区; 所述非电极区中,由所述硅衬底向外包括减反钝化层结构; 所述电极区中,由所述硅衬底向外包括至少一组钝化接触层结构、所述减反钝化层结构以及电极;每组所述钝化接触层结构包括隧穿层和掺杂硅钝化层;所述电极与所述掺杂硅钝化层电连接; 在所述硅衬底的不同面:所述掺杂硅钝化层的导电掺杂类型不同; 在所述硅衬底的其中一面:所述硅衬底与该面设置的所述减反钝化层结构之间设置有发射极层,以与该面设置的所述掺杂硅钝化层构成SE;所述发射极层的掺杂浓度低于该面设置的所述掺杂硅钝化层的掺杂浓度。
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